高低溫沖擊試驗(yàn)箱常用于自動(dòng)化零部件、電子電器零組件、汽車(chē)配件、通訊組件、金屬、塑膠等行業(yè)產(chǎn)品及零配件，半導(dǎo)體陶瓷、電子芯片IC及高分子材料之物理性變化,測(cè)試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)沖擊力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，可確認(rèn)產(chǎn)品的實(shí)際質(zhì)量,從的IC到重機(jī)械的組件，不需要它作為理想的測(cè)試設(shè)備。
主要技術(shù)參數(shù)：
1．內(nèi)箱尺寸：600*500*500MM(W*H*D)（更大的尺寸或者更小的尺寸都可以致電愛(ài)佩定制）
2. 外部尺寸：1830*1950*1550 MM(W*H*D)（般外尺寸會(huì)有點(diǎn)點(diǎn)偏差屬于正常現(xiàn)象）
3．試驗(yàn)箱溫度設(shè)定范圍：－65℃～+150℃
4．高溫箱溫度設(shè)定范圍: +65℃～200℃
5. 低溫箱溫度設(shè)定范圍:-10℃～-75℃；
6．降溫時(shí)間：+20℃～-75℃≤60min；
  （注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能并非沖擊時(shí)間）
7．試驗(yàn)方式：試驗(yàn)時(shí)待測(cè)物試驗(yàn)箱里靜靜的擺放著，溫度在高溫箱及低溫箱內(nèi)受試驗(yàn)條件及控制器指標(biāo)根據(jù)冷熱沖擊要求通過(guò)氣體分別把冷熱溫度帶動(dòng)過(guò)來(lái)完成交替沖擊的試驗(yàn)條件。
8．溫度波動(dòng)度：±0.5℃
9．溫度均勻度: ±2.0℃
(依量測(cè)規(guī)范:量測(cè)SENSOR置放點(diǎn),離內(nèi)箱壁內(nèi)尺寸1/10處)
10．沖擊復(fù)歸時(shí)間：-55℃～150℃約需3~5分鐘
11.試驗(yàn)箱冷熱溫度轉(zhuǎn)換移動(dòng)時(shí)間:≦10秒
12.高低溫沖擊恒溫時(shí)間各為30分鐘
13．試樣限制：本實(shí)驗(yàn)設(shè)備禁止易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存。
高低溫沖擊試驗(yàn)箱所滿(mǎn)足的標(biāo)準(zhǔn)有以下:
GB/T2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A 低溫;GJB360.7-87溫度沖擊試驗(yàn);GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫;GB/T 10592 -2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件;GB/T 10589-2008 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件;GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件;GB/T 2423.22-2002溫度變化;GB/T 5170.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 總則;SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗(yàn)箱——箱式；SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗(yàn)箱——二箱式;GB/T5170.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備;GB2424.1 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 高低溫試驗(yàn)導(dǎo)則;GB/T 2424.13-2002試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則;GB/T2423.22-1989溫度變化試驗(yàn)；GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法107 溫度沖擊試驗(yàn);IEC68-2-14_試驗(yàn)方法N_溫度變化;EIA 364-32熱沖擊（溫度循環(huán)）測(cè)試程序的電連接器和插座的環(huán)境影響評(píng)估;QC/T 17-1992 汽車(chē)零部件耐候性試驗(yàn)般規(guī)則 汽車(chē)行業(yè)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)等等包括其它產(chǎn)品行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。